TEST MENU
非破壊検査では特定・解明できない課題・不具合に対して、原因を特定するの為の破壊検査となります。
サンプルを樹脂封止・切断し研磨装置を用いて観察したい箇所の断面を削り出し、観察・撮影・測定を行います。
信頼性試験前後の状態を確認したり、構造解析や不良解析を実施するためにはサンプルの断面を観察することが可能です。
研磨から全て手作業で行うため、自動研磨ではできない形状や大きさなどにも柔軟に対応可能でございます。お気軽にご相談ください。
※いずれの試料も耐水性が必要となります。
■Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の可視化およびキャリア濃度の半定量評価
■微小領域(0.2nm~1μm)の組成分析・面分析
※面分析は1点当たりの測定時間が点分析に比べて極端に短いため、 検出下限が劣ります。
■微小領域(~1μm)の定性分析
測定実績 :Si, Ti, W, Au等
測定可能範囲 :50nm×50nm~4μm×4μm
分解能 :数nm~
サンプルの表面を高倍率で観察可能です。表面の状態、結晶粒の観察などに適しております。
付属しておりますEDX分析装置により観察箇所の元素を分析することも可能で不具合解析に役立つ装置です。
不具合解析のファーストチョイスとして用いられる装置で非破壊で観察することができます。
BGAの接合面の状態やボイドの有無やその発生率などの自動計測も可能です。
試料サイズ(MAX):重さ5kg、幅440mm×長さ500mm×高さ130mm
X線検出器最大傾斜角:70度
焦点寸法(MIN):0.25μm
サンプル表面にX線を照射した際に発生する蛍光X線のエネルギー、強度から含有する元素及びその濃度を得ることができます。
更に固体・粉体・液体などの試料形態に対応できます。SEM-EDXに比べて重元素測定に秀でており、分析領域が広く深さ方向にも対応しており、材料分析・めっきの膜厚測定などに適しております。